Logika a
Konjunkcija IR daugyba Disjunkcija ARBA sudėtis Inversija Loginės operacijos Konjunkcija IR daugyba Disjunkcija ARBA sudėtis Inversija Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Disjunkcija , ARBA , sudėtis X0 X1 Y 1 IEC MIL/ANSI DIN Disjunkcija , ARBA , sudėtis Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Konjunkcija, AND, loginė daugyba IEC, MIL/ ANSI DIN There are three symbols for AND gates: the American (ANSI or 'military') symbol and the IEC ('European' or 'rectangular') symbol, as well as the deprecated DIN symbol. For more information see Logic Gate Symbols. MIL/ANSI SymbolIEC SymbolDIN SymbolThe AND gate with inputs A and B and output C implements the logical expression Konjunkcija, AND, loginė daugyba Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Pirso funkcija, ARBA-NE Funkcijos x1 x2 Funkcija 00 01 10 11 žymėjimas pavadinimas f0 0 0 0 0 f1 0 0 0 1 x1 x2 konjunkcija f2 0 0 1 0 x1 x2 draudimas f3 0 0 1 1 x1 f4 0 1 0 0 x2 x1 f5 0 1 0 1 x2 f6 0 1 1 0 x1 x2 sudėtis moduliu 2, XOR f7 0 1 1 1 x2 Vx1 disjunkcija f8 1 0 0 0 x2 x1 Pirso funkcija, ARBA-NE f9 1 0 0 1 x1 x2 ekvivalentiškumas f10 1 0 1 0 ^x2 f11 1 0 1 1 x2 x1 implikacija f12 1 1 0 0 ^ x1 f13 1 1 0 1 x1 x2 f14 1 1 1 0 x1 |x2 Šeferio funkcija, IR-NE f15 1 1 1 1 1 sudėtis moduliu 2 – funkcija, kuri lygi vienetui tik tuomet, kai 1 lygus tik vienas iš kintamųjų x1 ir x2; ši funkcija angliškoje literatūroje vadinama XOR arba x1x2 funkcija ir žymima taip: f(x) = x1 x2 = x1 x2 + x2 x1 Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Loginiai ventiliai IR, ARBA, NE Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Vienskiltis sumatorius 1 & 1 1 1 1 Vienskiltis sumatorius 1 1 & 1 1 1 1 1 1 1 Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Vienskiltis sumatorius (su pernaša) Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
o ją realizuojanti loginių elementų schema : Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo sekančiai: Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo sekančiai: Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo sekančiai: o ją realizuojanti loginių elementų schema bei 4-ių skilčių pilno sumatoriaus žymėjimas tokie: o ją realizuojanti loginių elementų schema bei 4-ių skilčių pilno sumatoriaus žymėjimas tokie: o ją realizuojanti loginių elementų schema bei 4-ių skilčių pilno sumatoriaus žymėjimas tokie: Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo taip: o ją realizuojanti loginių elementų schema : Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
1 S R Q S(tn) R(tn) Q(tn) Q(t0) 1 - trigeris & Q(t0) 1 - & S R Q Statinės atmintinės ląstelė (trigeris) Jeigu Aktyvūs S, R =“0” (inversiniai įėjimai) Pasyvūs S, R = “1” or “3rd state”, => Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
diodas Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
npn (pagrindiniai emiterio srities krūvininkai yra elektronai) tranzistoriaus pagrindiniai veikimo principai: Bazės-emiterio pn sandūra sujungta tiesiogiai, todėl elektronai pasiekia bazės sritį. Bazės sritis labai plona ir mažai legiruota (nedaug skylių), todėl tik nedidelė dalis iš emiterio “atkeliavusių” elektronų rekombinuoja, o kita dalis lieka bazės srityje. Bazės-kolektoriaus sandūra yra “atbulinė” kolektoriaus elektronams ir bazės skylėms, bet tiesioginė į bazę patekusiems emiterio elektronams. Šiuos elektronus traukia prie kolektoriaus prijungtas teigiamas maitinimo šaltinio kontaktas. Todėl didžioji dalis bazėje esančių emiterio elektronų įveikia bazės-kolektoriaus pn sandūrą ir patenka į kolektoriaus sritį, taip sukurdami kolektoriaus srove IC. Kuo didesnis UB1 potencialas, tuo mažesnis barjeras emiterio elektronams Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vienpolių tranzistorių su valdančiąja pn sandūra (a, b), MDP tranzistorių su indukuotuoju kanalu (c,d) ir MDP rranzistorių su pradiniu kanalu (e,f) sutartiniai grafiniai žymėjimai: a, c,e - su n kanalu; b,d.f – su p kanalu Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Tranzistorinio invertoriaus schema Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
3 būsenų schema išrinkimas išvestis įvestis Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Kombinatorius formuotuvas buferis 3 etapų logika Kombinatorius formuotuvas buferis Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
3 būsenų schema išrinkimas išvestis įvestis Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
1 S Q R Trigeris (Loginės ir principinė scemos) Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Dinaminės atmintinės ląstelė Valdymas (adresai) Duomenys Dinaminės atmintinės ląstelė Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
Klausimai ir pertrauka Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a