מהו טרנזיסטור?.

Slides:

Advertisements

Similar presentations

Lecture Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) Field-Effect Transistors (FET) MOSFET Introduction 1.

Advertisements

Goals Investigate circuits that bias transistors into different operating regions. Two Supplies Biasing Four Resistor Biasing Two Resistor Biasing Biasing.

MICROWAVE FET Microwave FET : operates in the microwave frequencies

Field Effect Transistor characteristics

1 JFET Bollen. 2 AGENDA Bollen JFET Overview JFET vs BJT Physical structure Working Input parameters DC formula Output parameters Transconductance Ac.

Digital Integrated Circuits Adapted from UCB-EE141 Copyright 1996 UCB. Devices פרופ’ יוסי שחם המחלקה לאלקטרוניקה פיזיקלית אוניברסיטת תל-אביב (לפי ההרצאות.

MOSFETs Monday 19 th September. MOSFETs Monday 19 th September In this presentation we will look at the following: State the main differences between.

מה קורה בתא הפוסט - סינפטי עקב הפעלת סינפסה כימית ?

פונקציונל פונקציה מספר פונקציונל דוגמאות לא פונקציונל פונקציונל.

מבוא להנדסת חשמל מעגל מסדר שני.

מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר חורף תשס"ב

א " ב, מילים, ושפות הפקולטה למדעי המחשב אוטומטים ושפות פורמליות ( ) תרגיל מספר 1.

משטר דינמי – © Dima Elenbogen :00. הגדרת cd ו -pd cd - הזמן שעובר בין הרגע שראשון אותות הכניסה יוצא מתחום לוגי עד אשר אות המוצא יוצא מתחום.

מנפה שגיאות - DEBUGGER מבוא למדעי המחשב (234114) רועי מלמד

IN מעגל חשמלי אנלוגי לדנדריט הפוסט-סינפטי: מה קורה בתא הפוסט סינפטי עקב הפעלת סינפסה כימית ?

מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב

1 חקירת טרנזיסטור קוונטי הנשלט על ידי שינויי תדר Frequency Controlled Quantum Transistor מבצע : חן טרדונסקי מנחה : ד " ר אראל גרנות.

מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב

משטר דינמי – © Dima Elenbogen :14. הגדרת cd ו -pd cd - הזמן שעובר בין הרגע שראשון אותות הכניסה יוצא מתחום לוגי עד אשר אות המוצא יוצא מתחום.

טרנזיסטור ביפולרי מגישים: אורן פיינה ראובן בסקנזי

מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב

מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב

מכללה האקדמית אורט בראודה המחלקה להנדסת חשמל ואלקטרוניקה מוליכים למחצה

Higher order effects Channel Length Modulation Body Effect Leakage current.

Flash Memory …and a tour through FETs. Junction Field Effect Transistor.

Introduction to Transistors

1 EE התקני מוליכים למחצה פרק 12 טרנזיסטור MOS פרופ' אבינעם קולודני.

CHAPTER 5 FIELD EFFECT TRANSISTORS(part c) (FETs).

Drain VDVD Source VSVS P NN W L Vg G S D B. P NN SourceDrain VDVD VSVS טרנזיסטור MOS Vg.

Electronics The Fourteenth and Fifteenth Lecture

MAHATMA PHULE A.S.C. COLLEGE, PANVEL Field Effect Transistor

מספרים אקראיים ניתן לייצר מספרים אקראיים ע"י הפונקציה int rand(void);

Electronics The Sixteenth and Seventh Lectures

BJT transistors.

MOSFET The MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) transistor is a semiconductor device which is widely used for switching and amplifying.

The JUNCTION FIELF EFFECT TRANSISTOR (JFET) n channel JFET

Electronics The Fifteenth and Sixteenth Lectures

Field Effect Transistor

FIELD EFFECT TRANSISTOR

EMT 112 / 4 ANALOGUE ELECTRONICS

ChapTer FiVE FIELD EFFECT TRANSISTORS (FETs)

Field-Effect Transistors Based on Chapter 11 of the textbook

GOVERMENT ENGINEERING COLLEGE

Introduction to Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) Chapter 7, Anderson and Anderson.

Field Effect Transistors (FETs)

Field Effect Transistor

Chapter 6 Field Effect Transistors (FETs)

Electronics Chapter Four

Principles & Applications

Electronics The Thirteenth and Fourteenth Lecture

Lecture on Field Effect Transistor (FET) by: GEC Bhavnagar

מבוסס על הרצאות של יורם זינגר, האוניברסיטה העברית י"ם

רכיבים ומערכות אלקטרוניות מגברי שרת

טרנזיסטור כמתג דו מצבי ממסר - RELAY הפעלה רציפה , PWM

IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor

פרוקטוז, C6H12O6 , חד-סוכר מיוחד

טרנזיסטור הצומת הדו-נושאי Bipolar Junction Transistor

منبع: & کتابMICROELECTRONIC CIRCUITS 5/e Sedra/Smith

מסננים מסנן מעביר נמוכים LPF תומר ורונה.

DMT 121 – ELECTRONIC DEVICES

טרנזיסטור הצומת הדו-נושאי Bipolar Junction Transistor

Reading: Finish Chapter 19.2

למה רמת פרמי צריכה להיות קבועה בחומר שנמצא בשווי משקל?

חיישני טמפרטורה נכתב ע"י יעקב ברק - כדורי.

ФЕТ СА ИЗОЛОВАНИМ ГЕЈТОМ - MOSFET

FIELD EFFECT TRANSISTOR

LECTURE # 8 FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)

Subject Name: Electronic Circuits Subject Code:10cs32

JFET Junction Field Effect Transistor.

וּ ֹ וֹ ִי ֶי ֵי ֵ ָ ֻ ִ ֶ ַ ּ ְ ֳ ֱ ֲ ז ו ה ד ג ב בּ א ל ך כ ךּ כּ י

Presentation transcript:

מהו טרנזיסטור?

ניתן לראות בטרנזיסטור מעין רכיב דו-הדקי,שהזרם הזורם בין הדקיו מבוקר ע”י המתח (או הזרם) בהדק השלישי. כלומר, ניתן לדמותו לברז ואת הדק הבקרה - לידית הברז.

נבחין בין שני סוגים עיקריים של טרנזיסטור: טרנזיסטור תוצא השדה Field Effect Transistor טרנזיסטור הצומת Bipolar Junction Transistor

יתרונותיו וחסרונותיו של ה-FET ביחס ל-BJT מקדם ההגברה אינו קבוע, משמע ההגבר אינו קבוע. בעל קיבוליות כניסה גבוהה. יתרונות התנגדות כניסה גבוהה כמעט ואינו רגיש לטמפ’ פשוט ליצור ובעל נפח קטן

נבחין בין שתי משפחות של הטרנזיסטור FET MOSFET Metal-Oxide Semiconductor N-Channel P-Channel J-FET J-Junction N-Channel P-Channel

רכיביו של ה-FET מקור Source שפך Drain שער Gate הדק המצע Body

עקרון הפעולה של ה- FET בעל אפיק האצה בעל אפיק דלדול

מאפיני תחומי העבודה של ה- MOSFET תחום הקטעון: VGSVP ID=0

תחום המוליכות VP<VGS VDS<VGS-VP

תחום הרוייה VP<VGS VDS>VGS-VP

אפיין ה-FET תחום המוליכות תחום רוויה תחום קטעון

נקודת העבודה נקודת העבודה היא הנקודה בה נמצאים ID ו VDS של ה-FET, כלומר ערכי ID ו VDS של ה- FET במעגל נתון. נקודת העבודה מסומנת באות Q . בדומה לטרנזיסטור BJT גם כאן ניתן למצוא את נקודת העבודה בדרך גרפית ובדרך חישובית. בחישוב נקודת העבודה מניחים שהטרנזיסטור נמצא ברוויה.

ה-FET כמגבר עקרונות ניתוח מגבר FET זהים לעקרונות של ניתוח מגבר הכולל טרנזיסטור ביפולרי כולל מציאת נקודת עבודה. gm - מוליכות העברה . נניח ש gm הינו קבוע עבור אותות קטנים. rd- התנגדות המוצא של ה-FET. µ- מקדם ההגברה. gm*rd = µ

לסיכום: מהו המאפיין העיקרי המבדיל את טת”ש הMOS מיתר סוגי הטרנזיסטורים שלמדנו? - התנגדות כניסה גבוהה מאוד מתי לא תתאפשר זרימה ב”תעלה”: א. VGS>0 ב. VGS<0 ג. VGS<VP ד. VGS>VP באיזה תחום משמש הטרנזיסטור כנגד? - בתחום ההולכה