SAU CÔNG NGHỆ CMOS - ĐIỆN TỬ NANO GS. TS. ĐINH SỸ HIỀN BM: ĐIỆN TỬ-TRUYỀN THÔNG KHOA: CƠ-ĐiỆN-ĐiỆN TỬ TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM 2014
OUTLINE Giới thiệu về hệ thống vi cơ điện (MEMS)/ video Mở đầu Phỏng vấn GS Geime về Graphene/ video 1. Công nghệ CMOS 2. Điện tử nano 2.1 Transistor phân tử 2.2 Spin FET 2.3 Transistor đơn điện tử 2.4 CNT FET 2.5 Graphene FET Kết luận
CÔNG NGHỆ CMOS Công nghệ VLSI (very large scale integration) là trung tâm của công nghiệp điện tử mà CMOS là công nghệ chính. 95% vi mạch (IC) dựa trên CMOS. Doanh thu vi mạch: 250 tỷ USD vào năm 2007. IC là sản phẩm có ảnh hưởng sâu sắc tới tiến bộ xã hội và công nghệ.
Lịch sử của FET (field effect transistor)
TiẾN TRÌNH THỜI GIAN CỦA ĐỘ DÀI CỔNG .
ĐỊNH LUẬT MOORE
THẾ HỆ CÔNG NGHỆ
SCALING Tăng tốc độ Tăng mật độ Giảm giá thành.
Scaling tốc độ .
Scaling mật độ .
Scaling giá thành .
Scaling gía nhà máy .
Scaling kích thước FET
Định nghĩa về công nghệ nano .
VI ĐIỆN TỬ TRỞ THÀNH ĐIỆN TỬ NANO NHƯ THẾ NÀO ? Hiệp lực giữa giá thành và đặc trưng
SỰ TIẾN HÓA CỦA KHẢ NĂNG MÁY TÍNH /GIÁ THÀNH
TĂNG MỨC TÍCH HỢP
The candidates: nanotransistors Molecular FET Spin FET Single electron transistor Carbon nanotube FET Graphene FET
ĐIỆN TỬ PHÂN TỬ
CHUYỂN MẠCH PHÂN TỬ
CẤU TRÚC TRANSISTOR ĐƠN PHÂN TỬ
TRANSISTOR PHÂN TỬ CỔNG SAU
ORGANIC FET CỔNG SAU
TOP-GATE FET
ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA MFET
SPINTRONICS
HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ
HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ GMR – Tỷ số từ trở khổng lồ , HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ GMR – Tỷ số từ trở khổng lồ Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ đối song Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ song song
Hiệu ứng từ trở khổng lồ 1988 – phát minh ra hiệu ứng từ trở khổng lồ 2007- Albert Fert & Peter Grunberg đã nhận giải thưởng Nobel về vật lý
VAN SPIN LÀ GÌ ?
VAN SPIN
TIẾP XÚC ĐƯỜNG HẦM TỪ
SPIN FET
TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ
CẤM COULOMB
SET NHIỆT ĐỘ PHÒNG
SET FET
ỐNG VÀ DÂY NANO
ỐNG NANO CARBON ĐƠN TƯỜNG
Ống nano đa tường
NHỮNG TÍNH CHẤT HẤP DẪN CỦA CNT
SỰ HÌNH THÀNH CNT NHỜ CVD XÚC TÁC
CNTFET ĐÃ ĐƯỢC CHẾ TẠO
CNT FET PHẲNG
CNTFET ĐỒNG TRỤC
SỰ PHỤ THUỘC DÒNG THẾ VÀO HÀM CÔNG
TÓM TẮT VỀ CNT
CNT FET phẳng
CNT FET ĐỒNG TRỤC
TOP-GATE CNT FET
Modeling of CNTFET
Modeling of CNTFET
GRAPHENE
Cấu trúc graphene FET
CẤU TRÚC GRAPHENE FET CỔNG TRÊN
ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA GRAPHENE NANORIBON FET
NHỮNG SỰ KIỆN QUAN TRỌNG CỦA PHÁT TRIỂN GRAPHENE
THỐNG KÊ CÁC BÀI BÁO ĐÃ CÔNG BỐ VỀ GRAPHENE (vàng) VÀ GRAPHENE HAI LỚP (xám)
KẾT LUẬN
REFERENCES [1] Dinh Sy Hien, Huynh Lam Thu Thao, Le Hoang Minh, Modeling transport in single electron transistor, Journal of Physics, vol. 187, p.1-10, UK, 2009. [2] Dinh Sy Hien, Development of quantum simulator for emerging nanoelectronics devices, Journal of ISRN Nanotechnology, vol. 2012, p.(1-10), 2012. [3] Dinh Sy Hien, Some new results of quantum simulator NEMO-VN2, Journal of Progress in Nanotechnology and Nanomaterials, vol. 2013, p. (1-7), 2013.
THANK YOU FOR YOUR ATTENTION!