תרגול 4: תכונות פסיביות של ממברנה

Slides:



Advertisements
Similar presentations
Completeness and Expressiveness. תזכורת למערכת ההוכחה של לוגיקה מסדר ראשון : אקסיומות 1. ) ) (( 2. )) ) (( )) ( ) ((( 3. ))) F( F( ( 4. ) v) ( ) v ((
Advertisements

מה קורה בתא הפוסט - סינפטי עקב הפעלת סינפסה כימית ?
Cell adhesion רוב התאים ממקור רקמה מוצקה גדלים בתרבית בצורת מונולייר דביק עד שעוברים טרנספורמציה נמצא שתאים נדבקים ומשתטחים על זכוכית עם מטען שלילי. כמו.
מטרות בבניית התנורמטרות בבניית התנור שהתנור יהיה כמה שיותר קרוב לעיגול, אך שיהיה נוח לבנות אותו. לא נאבד את החום בפינות התנור לא לאבד חום בדפנות התנור.
Operating Systems, 112 Practical Session 4, Scheduling.
רקורסיות נושאי השיעור פתרון משוואות רקורסיביות שיטת ההצבה
Na+ P-. הפוטנציאל האלקטרוכימי אנרגיה חופשית ל - 1 mole חומר. מרכיב חשמלי מרכיב כימי מרכיבי הפוטנציאל האלקטרוכימי של חומר X: המרכיב הכימי : RTlnC x R –
מה החומר למבחן ? כל החומר שנלמד בהרצאות ובתרגולים. לגבי backtracking: לא תידרשו לממש אלגוריתם, אך כן להבין או להשלים מימוש נתון. אחת משאלות המבחן מבוססת.
מבוא לשפת C חידות ונקודות חשובות נכתב על-ידי יורי פקלני. © כל הזכויות שמורות לטכניון – מכון טכנולוגי לישראל.
מבוא להנדסת חשמל מעגל מסדר שני.
חורף - תשס " ג DBMS, צורות נורמליות 1 צורה נורמלית שלישית - 3NF הגדרה : תהי R סכמה רלציונית ותהי F קבוצת תלויות פונקציונליות מעל R. R היא ב -3NF.
Map-Reduce Input: a collection of scientific articles on different topics, each marked with a field of science –Mathematics, Computer Science, Biology,
מוליכות וקיבוליות ממברנה פנים חוץ תעלות יוניות מוליכות ליח' שטח התנגדות ליח' שטח שטח גדלמוליכות גדלה שטח גדלהתנגדות קטנה קיבול ליח' שטח שטח גדלקיבול גדל.
א " ב, מילים, ושפות הפקולטה למדעי המחשב אוטומטים ושפות פורמליות ( ) תרגיל מספר 1.
א " ב, מילים, ושפות הפקולטה למדעי המחשב אוטומטים ושפות פורמליות ( ) תרגיל מספר 1.
קינטיקה כימית ישנן תגובות שמתרחשות תוך שניות, בעוד שאחרות יכולות לארוך שעות, ימים ואף חודשים. גם כאשר תגובה היא ספונטאנית, לא תמיד היא מתרחשת מעצמה – קצב.
משטר סטטי שערים לוגיים Wired Drives – © Dima Elenbogen 2009, Moshe Malka :29.
תכנות תרגול 6 שבוע : תרגיל שורש של מספר מחושב לפי הסדרה הבאה : root 0 = 1 root n = root n-1 + a / root n-1 2 כאשר האיבר ה n של הסדרה הוא קירוב.
נתחיל בחזרה על קבוע הזמן של הממברנה. Membrane (2 : מבודד (גרוע ביחס לכבל). 1) Cytoplasm : מוליך (גרוע ביחס לכבל). Extracellular medium (3 : אנו מניחים.
פרק 3 שבירת תאים עמוד 1 פרק 3.
משוואת נרנסט.
מערכות הפעלה ( אביב 2009) חגית עטיה ©1 מערכת קבצים log-structured  ה log הוא העותק היחיד של הנתונים  כאשר משנים בלוק (data, header) פשוט כותבים את הבלוק.
א " ב, מילים, ושפות הפקולטה למדעי המחשב אוטומטים ושפות פורמליות ( ) תרגיל מספר 1.
The Inferior Olive נוירוביולוגיה ומדעי המוח 2009.
IN מעגל חשמלי אנלוגי לדנדריט הפוסט-סינפטי: מה קורה בתא הפוסט סינפטי עקב הפעלת סינפסה כימית ?
ערכים עצמיים בשיטות נומריות. משוואה אופינית X מציין וקטור עצמי מציינת ערך עצמי תואם לוקטור.
מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב
קורס תכנות – סימסטר ב ' תשס " ח שיעור שישי: מערכים
מבני בקרה לולאות. שאלה #1 שאלה ב' – תכתוב תוכנה הכותבת את תפריט הבאה Type 1 to find the area of a circle Type 2 to find the circumference of a circle.
כוחות משיכה בין מולקולריים כוחות חלשים כוחות וון דר וולס (Van der Vaals) בנוסף לכוחות החזקים שקיימים בקשרים הכימיים המחזיקים אטומים ביחד קיימים גם כוחות.
תרמודינמיקה השפעת טמפרטורה על GG בקרה קינטית ובקרה תרמודינמית רים נאוה ארנה.
הקיבול איננו תלוי במטען ובפוטנציאל
הקדמה. תנועת גל בחומר. קריסת הגל. משוואת ברגר (Burgers’ equation) ופתרונה. גלי הלם. סיכום.
1 חקירת טרנזיסטור קוונטי הנשלט על ידי שינויי תדר Frequency Controlled Quantum Transistor מבצע : חן טרדונסקי מנחה : ד " ר אראל גרנות.
Data Structures, CS, TAU, Perfect Hashing 1 Perfect Hashing בעיה : נתונה קבוצה S של n מפתחות מתחום U השוואה ל - Hash : * טבלה קבועה (Hash רגיל - דינאמי.
מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב
Remember Remember The 5 th of November. תרגול 2 קובץ סדרתי.
1 Data Structures, CS, TAU, Perfect Hashing בעיה: נתונה קבוצה S של n מפתחות מתחום U השוואה ל- Hash : * טבלה קבועה (Hash רגיל - דינאמי) * רוצים זמן קבוע.
רגרסיה קו רגרסיה הוא קו תיאורטי המאפשר לנו לבחון את השפעתו של משתנה מנבא אחד (או יותר) על המשתנה התלוי: במילים אחרות, מודל רגרסיה עוזר לנו לנבא על פי משתנה.
עקרון ההכלה וההדחה.
יחס סדר חלקי.
Line Terminated By Arbitrary Load Zg + Vg d=ld=0 Z0,βZ0,β ZRZR I(0) d V(0) + VgVg ZgZg ZRZR Z0Z0 β I(0) V(0) ΓRΓR Line Impedance Load Impedance Current.
תחשיב היחסים (הפרדיקטים)
מבוא למדעי המחשב, סמסטר א ', תשע " א תרגול מס ' 1 נושאים  הכרת הקורס  פסאודו - קוד / אלגוריתם 1.
Markov Decision Processes (MDP) תומר באום Based on ch. 14 in “Probabilistic Robotics” By Thrun et al. ב"הב"ה.
תעלות, נשאים ואינטגרציה ביניהם
מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב
מתמטיקה בדידה תרגול 2.
מבוא לפיזיולוגיה תרגיל מספר 2 פוטנציאל אלקטרוכימי
1 מבוא למדעי המחשב סיבוכיות. 2 סיבוכיות - מוטיבציה סידרת פיבונאצ'י: long fibonacci (int n) { if (n == 1 || n == 2) return 1; else return (fibonacci(n-1)
ניתוח בחינת הבגרות במכניקה ומעבר..... מכניקה – שאלה 3.
מעגלים אלקטרוניים לינאריים סמסטר אביב תשס"ב
1 גילוי מידע וזיהוי תבניות תרגול מס. 3 התפלגות נורמלית רב - מימדית Kullback-Leibler Divergence - משפט קמירות - נגזרת שנייה משפט Log sum inequality משפט.
פיתוח מערכות מידע Class diagrams Aggregation, Composition and Generalization.
Operating Systems Practical Session 3, Scheduling 1.
המחסום הברירני מבחין בין מעבר של חומרים שונים מולקולות הידרופוביות מגיעות מהר מאוד לשיווי משקל. מולקולות הידרופוביות מגיעות מהר מאוד לשיווי משקל. מולקולות.
Population genetics גנים באוכלוסיות a population is a localized group of individuals belonging to the same species.
Data Structures Hanoch Levi and Uri Zwick March 2011 Lecture 3 Dynamic Sets / Dictionaries Binary Search Trees.
פס על כל העיר נורית זרחי.
מספרים אקראיים ניתן לייצר מספרים אקראיים ע"י הפונקציה int rand(void);
מבוא למדעי המחשב סיבוכיות.
SQL בסיסי – הגדרה אינדוקטיבית
רכיבים ומערכות אלקטרוניות מגברי שרת
תירגול 14: מבני נתונים דינאמיים
טרנזיסטור כמתג דו מצבי ממסר - RELAY הפעלה רציפה , PWM
מהו טרנזיסטור?.
טרנזיסטור הצומת הדו-נושאי Bipolar Junction Transistor
הנעה חשמלית.
טרנזיסטור הצומת הדו-נושאי Bipolar Junction Transistor
Practical Session 3, Scheduling
Presentation transcript:

תרגול 4: תכונות פסיביות של ממברנה -מבוא לפיסיולוגיה- תרגול 4: תכונות פסיביות של ממברנה חננאל ביק hananelbyk@gmail.com

פוטנציאל הממברנה במנוחה Vrest מפל המתח - הבטריה in out R Vrest C תא עצב מעגל חשמלי תעלות יוניות התנגדות,מוליכות R = 1/g ממברנת התא קבל זרם של יונים זרם פוטנציאל הממברנה במנוחה Vrest מפל המתח - הבטריה מעבר מתמונת יונים להתנגדות כללית ופוטנציאל מנוחה

תזכורת קטנה... out in C gNa ENa gk Ek gCl ECl in out R Vrest C לעבור על קביעת פוטנציאל הממברנה (הבטריה שלי בהמשך), לכווץ את מרכיבי הפוטנציאל במנוחה, פוטנציאל המנוחה כפונקציה של המוליכויות ושל פוטנציאלי ש"מ.

V(t) in out R Vrest C I Ic IR I t

התפתחות מתח על ממברנה... out C R Vrest IR Ic I in I V(t) t הציור יופיע אחרי החישוב. להוסיף את פוטנציאל המנוחה לחישוב. I V(t) t

t=0 : t=∞: נציב ערכים כדי לקבוע את תחומי המשוואה: IR t ∞ V(t) t הצבה קצת יותר מפורטת. IR V(t) t t ∞

t=RC: התפתחות מתח על ממברנה... יחידות RC הן למעשה זמן – קבוע הזמן τ V(t) 0.63IR t

t=0 : t=∞: t=RC = τ : t ∞ עבור דעיכת המתח לאחר הפסקת הזרם המרובע... V(t) V0 0.37V0 RC t ∞

המשמעות הביולוגית של קבוע הזמן: 1) גירויים קצרים בזמן יעלמו. 2) תא עצב קולט קלטים מהתאים בסביבתו. כיוון שההתנהגות החשמלית שלו מקבילה למעגל RC (כלומר בעלת קיבול), המתח אינו דועך מיד ועל כן התא יכול לסכום קלטים שונים שאינם מגיעים בו זמנית. ככל שקבוע הזמן גדול יותר, יוכל לסכום קלטים שמגיעים בהפרשי זמן גדולים יותר. קבוע זמן גדול – המתח מתפתח לאט ודועך לאט קבוע זמן קטן – המתח מתפתח מהר ודועך מהר. Temporal summation – זיכרון תאי. קבוע הזמן מאפשר לקלטים שהגיעו בזמנים שונים להסתכם אחד על גבי השני.

Cm קיבול ספציפי של הממברנה. מוגדר עבור יחידת שטח (cm2) של ממברנה. ערכו קבוע פחות או יותר עבור ממברנות ביולוגיות והוא: 1μF/cm2. לא תלוי במימדי התא. C קיבול של הממברנה שמוגדר ל-cm אורך. ערך זה תלוי במימדיו הגיאומטריים של התא. Rm התנגדות הממברנה הספציפית. מוגדרת עבור יחידת שטח (cm2) של ממברנה. תלויה בצפיפות התעלות הפתוחות במנוחה. יחידותיה: Ωcm2. אינה תלויה במימדי התא. rm התנגדות הממברנה של גליל באורך 1 ס"מ עם רדיוס a. ערך זה תלוי במימדיו הגיאומטריים של התא. היחידות ה Ωcm. Rinput התנגדות הכניסה של התא. ההתנגדות הכוללת של התא שקובעת את המתח שיווצר בהנתן זרם לתא. תלויה הן בהתנגדות הממברנה והן בהתנגדות האורכית. ניתנת ביחידות של Ω ותלויה במימדים הגיאומטרים של התא.

קבוע הזמן אינו תלוי בתכונות הגיאומטריות של התא עבור תא כדורי איזופוטנציאלי: (r – רדיוס התא) קבוע הזמן אינו תלוי בתכונות הגיאומטריות של התא 0.63IRinput t V(t) IRinput τ

בתא פאסיבי, איזופוטנציאלי, קבוע הזמן τ הינו 10 msec. באמצעות טיפול מסוים חסמו 50% מהתעלות הפאסיביות בתא זה. מהו קבוע הזמן החדש של התא? קבוע הזמן τ הוא מכפלת ההתנגדות הספציפית בקיבול הספציפי: τ = Rm*Cm הערך Rm לוקח בחשבון את צפיפות התעלות הפתוחות בממברנה. חסימת 50% מן התעלות הפאסיביות מגדילה את Rm פי 2, ובהתאם גם קבוע הזמן גדל פי 2: τ (old) = Rm*Cm = 10 msec τ (new) = 2*Rm (old) *Cm = 20 msec

לשני תאים איזופוטנציאלים אותן תכונות ממברנה ספציפיות (Cm, Rm), אך קוטר תא A גדול פי 2 מקוטר תא B. מה יהיו יחסי: א. קבועי-הזמן ב. התנגדויות הכניסה א. נתון כי לשני התאים אותן תכונות ממברנה ספציפיות (Rm, Cm) ולכן קבועי הזמן של שני התאים שווים: τ = Rm*Cm ב. התנגדות הכניסה של תא נקבעת ע"פ ההתנגדות הספציפית של הממברנה ושטח פני התא:

הביטוי שמתאר את דעיכת המתח הינו: מעוניינים למצוא t שעבורו V(t) הוא עשירית מערך V0.כלומר, ברצוננו למצוא את t כך ש: V(t) = 0.1V0 עבור שני תאים שונים: תא א: τ = 20ms, תא ב: τ = 40ms נציב בביטוי המתאר את דעיכת המתח עם הזמן ונקבל: א. עבור τm = 20 msec: t=46 msec ב. עבור τm = 40 msec: t=92.1 msec

בתא בעל קבוע זמן השווה ל-20ms ניתנו שני פולסי זרם דפולריזטוריים קצרים של 20ms מרווח של 10 ms בניהם. תאר, באופן איכותי, כיצד יראה המתח המתפתח בתא זה. אם משך הפולס הוא 20 msec, המתח המתפתח בתגובה לזרם יגיע לערך של 63% מערכו במצב עמיד. במהלך הפסקה של 10 msec בין הפולסים, המתח לא יספיק לדעוך לערך המנוחה. לכן, התגובה עבור הפולס השני תתחיל מערך גבוה יותר, ותגיע לערך גבוה יותר, בהשוואה לתגובה עבור הפולס הראשון (temporal summation) . להוסיף נוסחה

התרומה של כל יון לזרם Vm t ∞ in out C gNa ENa gk Ek V(t) Iinput t t ∞ Iinput t לדבר על קיבוע מתח, הסתכלות על המצב בזמן steady state, לעומת שינוי מתח בזמן. התרומה של כל יון לזרם