2004/12/13 進 度 報 告 宋育泰

Hall Bar

1.Clean TCE  ACE  Methyl  DI-Water ……repeat 2.Coating AZ6112 Step1: 5500 (r.p.m.) 1 (sec) Step2: ---- (r.p.m.) -- (sec) 3.Baking 80 ( ℃ ) 180 (sec) 4. 曝光 180 (sec) MASK: Omhic contact 5. 顯影 Developer:AZ 蒸鍍 1.Au--10(nm)--2.0~4.0(A/sec) 2.AuGe--20(nm)—2.0~4.0(A/sec) 製 程 3.Au--20 (nm)--3.0~4.0(A/sec) 4.AuGe--20 (nm)--2.0~4.0(A/sec) 5.Au--120(nm)--3.0~4.0(A/sec) 7.Left-off 8. 燒結 430 ( ℃ ) 15(min) 通 N 2 9. Coating AZ 氣槍 10.Baking 80 ( ℃ ) 120 (sec) 11. 曝光 120(sec) MASK:MESA 12.Repeat (5.) 13. 蝕刻 8(sec) around 0.8(nm) H 2 SO 4 :H 2 O 2 :H 2 O=1:8:80 Wafer: 2.5*3 mm C015A

materialThickness(Ǻ)doping GaAs-cap100Si 4 x Al 0.28 Ga 0.72 As643 Si 7.5 x Al 0.28 Ga 0.72 As GaAs-buffer Sub : GaAs-S.I C015A 結 構

Result 基板 Ground At 11.5 K n = 2.34x10 11 cm -2 μ = 1.02x10 5 cm -2 /Vs (Measured by DC conductivity and hall effect Length/Width=1.82)