霍尔效应及其应用 汪礼胜 武汉理工大学物理实验中心. 【实验目的】 1 、研究霍尔效应的基本特性 ( 1 )了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件 对材料要求的知识; ( 2 )测绘霍尔元件的 和 曲线; ( 3 )确定霍尔元件的导电类型,测量其霍尔系 数、载流子浓度以及迁移率。 2 、应用霍尔效应测量磁场(选做)

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§8-3 电 场 强 度 一、电场 近代物理证明:电场是一种物质。它具有能量、 动量、质量。 电荷 电场 电荷 电场对外的表现 : 1) 电场中的电荷要受到电场力的作用 ; 2) 电场力可移动电荷作功.
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§5.6 利用希尔伯特 (Hilbert) 变换 研究系统的约束特性 希尔伯特变换的引入 可实现系统的网络函数与希尔伯特变换.
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第二节. 广告牌为什么会被风吹倒? 结构的稳定性: 指结构在负载的作用下 维持其原有平衡状态的能力。 它是结构的重要性质之一。
§9. 恒定电流场 第一章 静电场 恒定电流场. 电流强度  电流:电荷的定向移动  正负电荷反方向运动产生的电磁效应相同 ( 霍尔效应 特例 ) 规定正电荷流动的方向为正方向  电流方向:正方向、反方向  电流强度 ( 电流 ) A 安培 标量 单位时间通过某一截面的电荷.
目录 上页 下页 返回 结束 二、无界函数反常积分的审敛法 * 第五节 反常积分 无穷限的反常积分 无界函数的反常积分 一、无穷限反常积分的审敛法 反常积分的审敛法  函数 第五章 第五章.
本章讨论有限自由度结构系统,在给定载荷和初始条件激励下的系统动力响应计算方法。 第 六 章
§7.2 估计量的评价标准 上一节我们看到,对于总体 X 的同一个 未知参数,由于采用的估计方法不同,可 能会产生多个不同的估计量.这就提出一 个问题,当总体的一个参数存在不同的估 计量时,究竟采用哪一个好呢?或者说怎 样评价一个估计量的统计性能呢?下面给 出几个常用的评价准则. 一.无偏性.
高 频 电 子 线 路高 频 电 子 线 路 主讲 元辉 5.5 晶体振荡器 石英晶体振荡器的频率稳定度 1 、石英晶体谐振器具有很高的标准性。 、石英晶体谐振器与有源器件的接入系数通常近似 如下 受外界不稳定因素的影响少。 3 、石英晶体谐振器具有非常高的值。 维持振荡频率稳定不变的能力极强。
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霍尔效应及其应用 汪礼胜 武汉理工大学物理实验中心

【实验目的】 1 、研究霍尔效应的基本特性 ( 1 )了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件 对材料要求的知识; ( 2 )测绘霍尔元件的 和 曲线; ( 3 )确定霍尔元件的导电类型,测量其霍尔系 数、载流子浓度以及迁移率。 2 、应用霍尔效应测量磁场(选做)

【实验原理】 1 .霍尔效应 霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用 而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这 种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形 成附加的横向电场,即霍尔电场 。 ( a ) ( b ) 图 1 霍尔效应实验原理示意图 ( a )载流子为电子( N 型);( b )载流子为空穴( P 型) 霍尔电场 是阻止载流子 继续向侧面偏移,当载流子所受 的横向电场力 与洛仑兹力 相等,样品两侧电荷的积累就达 到动态平衡,故有 ( 1 ) 设试样的宽为 b ,厚度为 d , 载流子浓度为 n ,则 ( 2 )

由( 1 )、( 2 )两式可得: ( 3 ) 比例系数 称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。 只要测出 (伏)以及知道 (安)、(高斯)和 (厘米)可按下式计算 (厘米 3 /库仑): ( 4 ) 2 .霍尔系数与其它参数间的关系 根据 可进一步确定以下参数: ( 1 )由 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。判别的 方法是按图 1 所示的 和 的方向,若测得的 即 点电位高于 点的电位,则 为负,样品属 N 型;反之则为 P 型。

(2)由 R H 求载流子浓度 n 。即 。应该指出,这个关系式是假定 所有载流子都具有相同的漂移速度得到的,严格一点,如果考虑载流子 的速度统计分布,需引入 的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半 导体物理学》)。 ( 3 )结合电导率的测量,求载流子的迁移率 。电导率 与载流子浓度 n 以及迁移率 之间有如下关系: ( 5 ) 即 = ,测出 值即可求 。 3 .霍尔效应与材料性能的关系 根据上述可知,要得到大的霍尔电压,关键是要选择霍尔系数大(即迁移 率高、电阻率亦较高)的材料。因 ,就金属导体而言,迁移率和电阻率 均很低,而不良导体电阻率虽高,但迁移率极小,因而这两种材料的霍尔系数 都很小,不能用来制造霍尔器件。半导体迁移率高,电阻率适中,是制造霍尔 元件较理想的材料,由于电子的迁移率比空穴迁移率大,所于霍尔元件多采用 N 型材料,其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比,因此薄膜型的霍尔元件 的输出电压较片状要高得多。

4 .实验方法 ( 1 )霍尔电压 的测量方法 值得注意的是,在产生霍尔效应的同时,因伴随着各种副效应,以致 实验测得的 、 两极间的电压并不等于真实的霍尔电压 值,而是包含 着各种副效应所引起的附加电压,因此必须设法消除。根据副效应产生 的机理可知,采用电流和磁场换向的对称测量法,基本上能把副效应的 影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向后,分别测 量由下列四组不同方向的 和 组合的 ( 、 两点的电位差)即: 然后求 、 、 和 的代数平均值。 ( 6 ) 通过上述的测量方法,虽然还不能消除所有的副效应,但其引入的误 差不大,可以略而不计。

( 2 )电导率 的测量

【实验仪器】 图 2 霍尔效应实验仪

图 3 霍尔效应实验仪示意图

【实验内容】

注意事项

【思考题】

【数据处理】