Download presentation
Presentation is loading. Please wait.
Published byRandell Hopkins Modified over 8 years ago
1
Drain VDVD Source VSVS P NN W L Vg G S D B
2
P NN SourceDrain VDVD VSVS טרנזיסטור MOS Vg
3
G S D B I DS V DS Vg 1 >V T Vg 2 >Vg 1 Vg 3 >Vg 2 Vg 4 >Vg 3 Trans-Resistor = Transistor
4
P NN SourceDrain VDVD VSVS Vg N-MOS Channel=N N PP SourceDrain VDVD VSVS Vg P-MOS Channel=P G S D B G S D B Source of Electrons Source of Holes
5
P NN SourceDrain VDVD VSVS Vg I DS V DS Vg>V T V DS =Vg 5V 0V 3V 1.5V 5V 2. עלינו לקחת בחשבון את מפל המתח בתעלה וירידת מטען האינוורסיה לכוון השפך 7V אזור ללא מטען שנופל עליו כל המתח מעל 5V
6
5V 0V 3V 1.5V 5V 2. y x 0V מתח בתעלה
7
I DS V DS Vg>V T תחומי עבודה רוויה לינארי
Similar presentations
© 2025 SlidePlayer.com. Inc.
All rights reserved.