Download presentation
Presentation is loading. Please wait.
1
بررسي حافظه هاي ديناميکي و
دانشگاه صنعتي اصفهان دانشكده برق وكامپيوتر بررسي حافظه هاي ديناميکي و SDRAM Interfacing سمينار كارشناسي ارشد کامپيوتر - معماري علي بهلولي زفره استاد درس دكتر برنجکوب استاد راهنما دکتر محمد داورپناه جزي پائيز1381 ذ
2
1) مقدمه 2) حافظه های ديناميکی 3) SDRAMها 4) ساختار SDRAM
عناوين اصلی 1) مقدمه 2) حافظه های ديناميکی 3) SDRAMها 4) ساختار SDRAM 5) طرحی برای کنترلر 6) جمع بندی و نتيجه گيری
3
مقدمه 1) طرحها با حجم پردازش کم نظير ميکروکنترلرو... موارد استفاده از حافظه ها 2) طرحها با حجم پردازش زياد نظير پردازنده ها و fpgaها
4
حافظه های ديناميکی تفاوتهای DRAM با SRAM الف) DRAMها نيازمند Refresh هستند. ب) خطوط آدرس DRAM ها مالتي‌پلكس شده است. ج) نيازمند به کنترلر
5
انواع حافظه های ديناميکی
آسنکرون سنکرون) Synchronous DRAM) SDRAM FPM EDO BEDO انواع DRAM
6
SDRAM انواع SDRAMهای موجود : 1) به صورت ماجول 2) به صورت IC مجزا
7
SDRAM Module
8
تعداد کلمه هايی که بايد ادرس دهی شوند
SDRAM ظرفيت SDRAMها بر حسب مگا بيت بيان می شود . دارای سه نوع بسته بندیِ هستند ( بر حسب تعداد بيتهای ديتا). مثلا برای يک آی سی 256مگابيتی : IC ظرفيت تعداد بيتهای ديتا تعداد کلمه هايی که بايد ادرس دهی شوند SDAM1 256Mbit 4 64M SDAM2 8 32M SDAM3 16 16M
9
NO Connected Pin SDRAM SDRAM 54 53 52 51 50 49 48 47 46 45 44 43 42 41
40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 30 29 28 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 Vss DQ7 VssQ NC DQ6 VddQ DQ5 DQ4 DQM CLK CKE A12 A11 A9 A8 A7 A6 A5 A4 Vdd DQ0 DQ1 DQ2 DQ3 WE# CAS# RAS# CS# BA0 BA1 A10 A0 A1 A2 A3 SDRAM
10
SDRAMپين های خطوط تغذيه خطوط ديتا خطوط آدرس خطوط کنترلی (/WE,/CAS,/RAS,/CS,CLK,CKE,DQM)
11
SDRAMخطوط آدرس با استفاده از سيگنالهای RASو CASو A0 تا A12 و BA0و BA1کلمه های حافظه آدرس دهی می شوند. کل فضای آدرس A25 A …A1 A0 آدرس ستونCOL )) آدرس سطر ROW)) شماره بانک تعداد بيتهای قسمت ROW ثابت وبرابر تعداد خطوط آدرس SDRAM است.
12
نحوه تقسيم آدرس، به آدرس سطر و ستون و بانک
64M=2 26 25 11 10 24 23 22 ……………………… ………… ROW Address Bank Address Column Address 32M=2 9 21 16M=2 8 20
13
خطوط کنترلی SDRAM دارای يک ماشين حالت داخلی است که با توجه به مقادير خطوط کنترلی بين حالتهای مختلف جابجا می شود. به هر ترکيبی از مقادير اين خطوط يک فرمان گفته می شود. نظير فرامين: Active,Read,Write,Refresh,Precharge,Mode register set وظيفه کنترلر صدور فرمانهای فوق است. خطوط کنترلی: CLK,CKE,DQM , /WE,/CAS,/RAS,/CS
14
SDRAM State Machine Read Write Idle State Mode Register Self Refresh
SREF Idle State SREF Self Refresh Exit CKE=0 ACT R E F CKE=1 Power Down CKE=0 Row Active Auto Refresh CKE=1 WR RD` BST Read Suspended CKE=0 Read Write Write Suspended CKE=1 CKE=1 CKE=0 RDA WRA Read Suspended CKE=0 Read Auto Precharge Write Auto Precharge CKE=1 Write Suspended PRE PRE CKE=1 CKE=0 Power on Pre- Charge PREA
15
ماشين حالت SDRAM Idle State Read Row Mode Reg. Write Auto Power On
Pre- Charge Idle State ACT MRS Prech arge Read Row Active Mode Reg. Write Auto Refresh Power On PRE. All Bank MRS Mode Reg. Idle State Auto Refresh ACT Row Active Automatic sequence Manual Input Write Read Prech arge Power On Pre- Charge PRE. All Bank
16
Mode Register Setting Sequential A3 Burst Type 1 Interleave
CAS Latency Burst Length A6 A5 A4 CAS Latency Reserve 1 2 3 A2 A1 A0 Burst Length 1 2 4 8 16 32 64 Full page A3 Burst Type Sequential 1 Interleave
17
طرحی برای کنترلر SDRAM Arbitrator Timer آدرس WR RD Address Same ROW
SDRAM CONTROLLER row comparator Timer Arbitrator CKE Refresh Same ROW RAS WR CAS WE RD CS MUX Address آدرس SDRAM
18
از بين حافظه های ديناميکی، در حال حاضرSDRAM بهترين انتخاب است.
نتيجه گيری و پيشنهادات استفاده از حافظه های ديناميکی در سيستم هايی که به حافظه بزرگ نياز دارند، امری اجتناب ناپذير است. از بين حافظه های ديناميکی، در حال حاضرSDRAM بهترين انتخاب است. استفاده از آی سی SDRAM به جای ماجول آن توصيه می شود . با توجه به نياز، تعدادی از حالت های بدون استفاده در FSM حذف وکنترلر آن طراحی و ساخته شود(به دليل ساده تر شدن طراحی). DDR ها و QDR ها ، نسلهای جديد SDRAM هستند و می توان در طرحهاِيی که به سرعت بالاتری نياز دارند استفاده شوند.
19
با تشکر از: اساتيد و دانشجويان اساتيد و دانشجويان
Similar presentations
