Download presentation
Presentation is loading. Please wait.
1
Logika a
2
Konjunkcija IR daugyba Disjunkcija ARBA sudėtis Inversija
Loginės operacijos Konjunkcija IR daugyba Disjunkcija ARBA sudėtis Inversija Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
3
Disjunkcija , ARBA , sudėtis
X0 X1 Y 1 IEC MIL/ANSI DIN Disjunkcija , ARBA , sudėtis Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
4
Konjunkcija, AND, loginė daugyba
IEC, MIL/ ANSI DIN There are three symbols for AND gates: the American (ANSI or 'military') symbol and the IEC ('European' or 'rectangular') symbol, as well as the deprecated DIN symbol. For more information see Logic Gate Symbols. MIL/ANSI SymbolIEC SymbolDIN SymbolThe AND gate with inputs A and B and output C implements the logical expression Konjunkcija, AND, loginė daugyba Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
5
Pirso funkcija, ARBA-NE
Funkcijos x x2 Funkcija žymėjimas pavadinimas f0 f1 x1 x2 konjunkcija f2 x1 x2 draudimas f3 x1 f4 x2 x1 f5 x2 f6 x1 x2 sudėtis moduliu 2, XOR f7 x2 Vx1 disjunkcija f8 x2 x1 Pirso funkcija, ARBA-NE f9 x1 x2 ekvivalentiškumas f10 ^x2 f11 x2 x1 implikacija f12 ^ x1 f13 x1 x2 f14 x1 |x2 Šeferio funkcija, IR-NE f15 1 sudėtis moduliu 2 – funkcija, kuri lygi vienetui tik tuomet, kai 1 lygus tik vienas iš kintamųjų x1 ir x2; ši funkcija angliškoje literatūroje vadinama XOR arba x1x2 funkcija ir žymima taip: f(x) = x1 x2 = x1 x2 + x2 x1 Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
6
Loginiai ventiliai IR, ARBA, NE
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
7
Vienskiltis sumatorius
1 & 1 1 1 1 Vienskiltis sumatorius 1 1 & 1 1 1 1 1 1 1 Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
8
Vienskiltis sumatorius (su pernaša)
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
9
o ją realizuojanti loginių elementų schema :
Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo sekančiai: Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo sekančiai: Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo sekančiai: o ją realizuojanti loginių elementų schema bei 4-ių skilčių pilno sumatoriaus žymėjimas tokie: o ją realizuojanti loginių elementų schema bei 4-ių skilčių pilno sumatoriaus žymėjimas tokie: o ją realizuojanti loginių elementų schema bei 4-ių skilčių pilno sumatoriaus žymėjimas tokie: Dvejetainių skaičių sudėčiai reikia sujungti tiek vienos skilties sumatorių, kiek skilčių turi sudedami skaičiai. Keturių skilčių skaičių sudėties operacija atrodo taip: o ją realizuojanti loginių elementų schema : Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
10
1 S R Q S(tn) R(tn) Q(tn) Q(t0) 1 - trigeris &
Q(t0) 1 - & S R Q Statinės atmintinės ląstelė (trigeris) Jeigu Aktyvūs S, R =“0” (inversiniai įėjimai) Pasyvūs S, R = “1” or “3rd state”, => Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
11
diodas Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
12
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
13
npn (pagrindiniai emiterio srities krūvininkai yra elektronai) tranzistoriaus pagrindiniai veikimo principai: Bazės-emiterio pn sandūra sujungta tiesiogiai, todėl elektronai pasiekia bazės sritį. Bazės sritis labai plona ir mažai legiruota (nedaug skylių), todėl tik nedidelė dalis iš emiterio “atkeliavusių” elektronų rekombinuoja, o kita dalis lieka bazės srityje. Bazės-kolektoriaus sandūra yra “atbulinė” kolektoriaus elektronams ir bazės skylėms, bet tiesioginė į bazę patekusiems emiterio elektronams. Šiuos elektronus traukia prie kolektoriaus prijungtas teigiamas maitinimo šaltinio kontaktas. Todėl didžioji dalis bazėje esančių emiterio elektronų įveikia bazės-kolektoriaus pn sandūrą ir patenka į kolektoriaus sritį, taip sukurdami kolektoriaus srove IC. Kuo didesnis UB1 potencialas, tuo mažesnis barjeras emiterio elektronams Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
14
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
15
Vienpolių tranzistorių su valdančiąja pn sandūra (a, b), MDP tranzistorių su indukuotuoju kanalu (c,d) ir MDP rranzistorių su pradiniu kanalu (e,f) sutartiniai grafiniai žymėjimai: a, c,e - su n kanalu; b,d.f – su p kanalu Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
16
Tranzistorinio invertoriaus schema
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
17
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
18
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
19
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
20
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
21
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
22
3 būsenų schema išrinkimas išvestis įvestis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
23
Kombinatorius formuotuvas buferis
3 etapų logika Kombinatorius formuotuvas buferis Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
24
3 būsenų schema išrinkimas išvestis įvestis
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
25
1 S Q R Trigeris (Loginės ir principinė scemos)
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
26
Dinaminės atmintinės ląstelė
Valdymas (adresai) Duomenys Dinaminės atmintinės ląstelė Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
27
Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas
28
Klausimai ir pertrauka Vilniaus universitetas, Fizikos fakultetas a
Similar presentations
© 2025 SlidePlayer.com. Inc.
All rights reserved.