1. SAU CÔNG NGHỆ CMOS - ĐIỆN TỬ NANO
GS. TS. ĐINH SỸ HIỀN
BM: ĐIỆN TỬ-TRUYỀN THÔNG
KHOA: CƠ-ĐiỆN-ĐiỆN TỬ
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ TP HCM
2014

2. OUTLINE Giới thiệu về hệ thống vi cơ điện (MEMS)/ video Mở đầu
Phỏng vấn GS Geime về Graphene/ video
1. Công nghệ CMOS
2. Điện tử nano
2.1 Transistor phân tử
2.2 Spin FET
2.3 Transistor đơn điện tử
2.4 CNT FET
2.5 Graphene FET
Kết luận

3. CÔNG NGHỆ CMOS
Công nghệ VLSI (very large scale integration) là trung tâm của công nghiệp điện tử mà CMOS là công nghệ chính.
95% vi mạch (IC) dựa trên CMOS.
Doanh thu vi mạch: 250 tỷ USD vào năm 2007.
IC là sản phẩm có ảnh hưởng sâu sắc tới tiến bộ xã hội và công nghệ.

4. Lịch sử của FET (field effect transistor)

5. TiẾN TRÌNH THỜI GIAN CỦA ĐỘ DÀI CỔNG.

6. ĐỊNH LUẬT MOORE

7. THẾ HỆ CÔNG NGHỆ

8. SCALING
Tăng tốc độ
Tăng mật độ
Giảm giá thành.

9. Scaling tốc độ .

10. Scaling mật độ .

11. Scaling giá thành .

12. Scaling gía nhà máy .

13. Scaling kích thước FET

14. Định nghĩa về công nghệ nano.

15. VI ĐIỆN TỬ TRỞ THÀNH ĐIỆN TỬ NANO NHƯ THẾ NÀO ?
Hiệp lực giữa giá thành và đặc trưng

16. SỰ TIẾN HÓA CỦA KHẢ NĂNG MÁY TÍNH /GIÁ THÀNH

17. TĂNG MỨC TÍCH HỢP

18. The candidates: nanotransistors
Molecular FET
Spin FET
Single electron transistor
Carbon nanotube FET
Graphene FET

19. ĐIỆN TỬ PHÂN TỬ

20. CHUYỂN MẠCH PHÂN TỬ

21. CẤU TRÚC TRANSISTOR ĐƠN PHÂN TỬ

22. TRANSISTOR PHÂN TỬ CỔNG SAU

23. ORGANIC FET CỔNG SAU

24. TOP-GATE FET

25. ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA MFET

26. SPINTRONICS

27. HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ

28. HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ GMR – Tỷ số từ trở khổng lồ,
HIỆU ỨNG TỪ TRỞ KHỔNG LỒ
GMR – Tỷ số từ trở khổng lồ
Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ đối song
Trở kháng linh kiện khi phân cực chất sắt từ song song

29. Hiệu ứng từ trở khổng lồ 1988 – phát minh ra hiệu ứng từ trở khổng lồ
2007- Albert Fert & Peter Grunberg đã nhận giải thưởng Nobel về vật lý

30. VAN SPIN LÀ GÌ ?

31. VAN SPIN

32. TIẾP XÚC ĐƯỜNG HẦM TỪ

33. SPIN FET

34. TRANSISTOR ĐƠN ĐIỆN TỬ

35. CẤM COULOMB

36. SET NHIỆT ĐỘ PHÒNG

37. SET FET

38. ỐNG VÀ DÂY NANO

39. ỐNG NANO CARBON ĐƠN TƯỜNG

40. Ống nano đa tường

41. NHỮNG TÍNH CHẤT HẤP DẪN CỦA CNT

42. SỰ HÌNH THÀNH CNT NHỜ CVD XÚC TÁC

43. CNTFET ĐÃ ĐƯỢC CHẾ TẠO

44. CNT FET PHẲNG

45. CNTFET ĐỒNG TRỤC

46. SỰ PHỤ THUỘC DÒNG THẾ VÀO HÀM CÔNG

47. TÓM TẮT VỀ CNT

48. CNT FET phẳng

49. CNT FET ĐỒNG TRỤC

50. TOP-GATE CNT FET

51. Modeling of CNTFET

52. Modeling of CNTFET

53. GRAPHENE

54. Cấu trúc graphene FET

55. CẤU TRÚC GRAPHENE FET CỔNG TRÊN

56. ĐẶC TRƯNG DÒNG-THẾ CỦA GRAPHENE NANORIBON FET

57. NHỮNG SỰ KIỆN QUAN TRỌNG CỦA PHÁT TRIỂN GRAPHENE

58. THỐNG KÊ CÁC BÀI BÁO ĐÃ CÔNG BỐ VỀ GRAPHENE (vàng) VÀ GRAPHENE HAI LỚP (xám)

59. KẾT LUẬN

60. REFERENCES
[1] Dinh Sy Hien, Huynh Lam Thu Thao, Le Hoang Minh, Modeling transport in single electron transistor, Journal of Physics, vol. 187, p.1-10, UK, 2009.
[2] Dinh Sy Hien, Development of quantum simulator for emerging nanoelectronics devices, Journal of ISRN Nanotechnology, vol. 2012, p.(1-10), 2012.
[3] Dinh Sy Hien, Some new results of quantum simulator NEMO-VN2, Journal of Progress in Nanotechnology and Nanomaterials, vol. 2013, p. (1-7), 2013.

61. THANK YOU FOR YOUR ATTENTION!