1. Silicon On Insulator (SOI) transistor TEG の照射前後の測定 L=0.15 W=300 L=0.30 W=600 L=0.30 W=600 L=0.50 W=1000 L=0.50(um) W=1000

2. Vg Vd 、 Id Vs Vds Vgs Vds =Vd - Vs Vgs = Vg - Vs Vg の値が変化すると Vs の値も変化してしまう Transistor のパラメー タ

3. ☆測定 半導体パラメータ Tr TEG chip

4. L=0.15(um),W=300 Low Vt High Vt Low VtHigh Vt PMOS NMOS

5. L=0.30(um),W=600 Low Vt IOHigh Vt

6. L=0.50(um),W=1000 Low VtHigh Vt IO

7. L=0.50(um),W=1000 Low VtIOHigh Vt

8. back up

9. gate0 gate3

10. PMOS gate6 NMOS gate0

11. NMOS gate6 NMOS gate3

12. PMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um) nonirrad sample

13. PMOS Low Vt L=0.30,W=600

14. PMOS High Vt L=0.15,W=300

15. PMOS IO L=0.30,W=600

16. NMOS Low Vt L=0.15(um),W=300(um)

17. NMOS High Vt L=0.15,W=300

18. NMOS IO L=0.30,W=600