9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה

9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה
מקורות קרינה ולייזרים 9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה 9.1 - יתרונות של דיודות לייזר 9.2 – חזרה על פיסיקה של מצב מוצק 9.3 – אלקטרו-לומינסצנסיה 9.4 - פליטת אור בצמתים 9.5 - מדוע לא מייצרים לייזרים ולדים מסיליקון ? 9.6 - חומרים עם מעברים ישירים 9.7 - לייזר Homo-junction 9.8 - LED 9.9 - אופן נפחי בלייזר לייזר hetero-junction 9.11 – לייזר בור קוונטי לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לייזרים 9 - מוליכים למחצה
אפשרות לאיפנון ע"י driver 20 GHz תקשורת לסיב אופטי זמן ביט tbit = 1/Bitrate I tbit t 1 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Bit and Byte נניח ש-: אות 32 ביט מילה 10 אותיות שורה 10 מילים דף 40 שורות ספר 500 עמודים חשב: את מספר הביטים שיש בספר תוך כמה זמן מועבר הספר בקו תקשורת של סיב אופטי המשדר בקצב של ?20 Gigabit/s לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

האלומה מתאימה לסיבים אופטיים 1 – 40 mm Multimode Fibers a = 80 mm core Single Mode Fibers a = 2 mm clade לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

1620 - 1530 חלון עבירות III 40 ערוצים 3. רוחב קו צר ביותר Dl ~ 1 nm
דיספרסיה כרומטית קטנה מאפשרת WDM-Wavelength Domain Multiplexing חלון עבירות III 40 ערוצים לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

מקדם השבירה כתלות באורך הגל עבור Silica
dn/dl = (-) Dc לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

דיספרסיה אורכי הגל הקצרים נעים יותר לאט lS l0 lL I n l
לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

t tbit ואורכי הל הקצרים נעים יותר לאט. אורכי הגל הארוכים נעים יותר מהר. הפולס מאבד את הצורה המלבנית t + Dt I I t + nDt I לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

50 x 10 x 300 mm 50 % 4 - ממדים קטנים מאפשר הרכבה כרכיב
4 - ממדים קטנים 15 2V 5- שאיבה חשמלית בהספק נמוך תיפקוד במעגלים של מיקרו-אלקטרוניקה מקובלת 6 - יעילות אורית גבוה 50 % לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

0.4 - 12 mm 7 - ייצור "המוני" בטכנולוגיה של מוליכים למחצה
8 - ניתן להרכבה (מונוליתית) במעגלים של מיקרו-מעבדים ובלוחות PCB 9 - מגוון אורכי גל mm לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9.2 – חזרה על פיסיקה של מל"מ רמת ההולכה רמת הערכיות E [eV] d [nm] Eg מבודדים, מוליכים, מוליכים למחצה מל"מ אינטרינזי מל"מ אקסטרינזי, זיהומי P, זיהומי N צמתים, הפעלה בממתח קידמי והפוך לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לדים ולייזרים 9.3 – אלקטרו-לומינסצנסיה d [nm] רמת ההולכה רמת הערכיות E [eV] Eg hn l lmax lmax = hc/Eg לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9.4 - פליטת אור בצמתים צומת V Conductance Band e- e- e- e- e- e- e- n Eg Valence Band p Depletion Layer d לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לזירה בצומת np ממתח קדמי – בזרם גבוהה -היפוף אכלוסיה בצומת + - n p e- e- e- e- e- e- e- e- + ~~~hn~~~~ לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Light emitting diode _ + n p e- e- e- e- ~~~hn~~~~ ~~~hn~~~~ e- e- e- e- e- e- e- + + + + לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

זרם סף I [w] קרינה מדורבנת קרינה ספונטנית זרם סף, Ith A לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

זרם סף - תלות ב-T I [w] T1 T4 T4>T1 A לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

רוחב ספקטרלי I קרינה ספונטנית קרינה מדורבנת l0 l לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9.5 - מדוע לא מייצרים לייזרים ולדים מסיליקון ? E [eV] d, nm הולכה ערכיות לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

- קבוע הגבישa0 ax az ay לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

קבועי גביש של יסודות מקבוצת IV
Lattice Constant at 300 K (Å( Crystal Structure Name Type Element or Compound Diamond Carbon (Diamond( Element C Silicon Si Germanium Ge Grey Tin Sn לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

שימור התנע במעברים (אלקרטרו-לומינסנטיים) בין רמות
לכל אלקטרון הנע במהירות v יש תנע p הנתון ע"י: p = m*v לפי de Broile קיים קשר בין התנע של חלקיק (נניח אלקטרון) ואורך הגל שלו: p = h/lelectron נזכור את ההגדרה של "ווקטור הגל" (מתוך פונקצית הגל) k = 2p/lelectron E(x,t) = E0 sin(wt – kx + f) ואז, יש ל-p עוד הגדרה p = (h/2p)k לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

דיאגרמת E-k p = m*v p = h/lelectron p = (h/2p)k E [eV] Ec Ev k V
במקרה הזה המינימה באנרגיה של רמת ההולכה, תואם את המקסימה של רמת הערכיות. שני הערכים מתקבלים באותו k, באותה התנע. לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

חוק שימור התנע במעבר אלקטרו-לומינסנטי
חוק שימור התנע במעבר אלקטרו-לומינסנטי Dk = ke - kh = 0 E(k) בסיליקון E [eV] Ec Ev k ב-Silicon לא יכול לתקיים החוק. המעברים לפליטת קרינה נדירים ביותר. לא ניתן ליצור לייזרים מסיליקון לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

- + + שימוש 1 ≠ 1 Si, Ge כמקור כגלאי
GaAs מל"מ ≠ 1 Indirect 1 Direct p(Ev,max) p(Ec,min) Gap כמקור כגלאי שימוש + - + עבור מקורות קרינה במל"מ (לייזרים ולדים), קיים: p = )me* vc (before emission = )me* vv(after emission לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9.6 - חומרים עם מעברים ישירים הקבוצה III-V III V In Ga Al Ge Si C IV
Sb As P V הקבוצה III-V תרכובות בינריות לא כמזהמים של Si תרכובות אלו, בחלקן, יוצרות גבישים שבהן יכול להתקיים חוק שימור התנע במעברים של פליטה. לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

תקשורת אופטית צבע ירוק וכחול VI V IV III II O (3,5( N (3,1( C (2,5( B S (2,4( P (2,1( Si (1,7( Al (1,5( Se As (2,2( Ge (2,0( Ga (1,8) Zn (1,7( Te (2,0( Sb (1,8( Sn (1,7( In Cd (1,5( Po Bi Pb (1,6( Tl Hg (אלקטרו- נגטיביות) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

אורך הגל כתלות בקבוע הגביש
Bandgap wavelenght, lmax Lattice Constant a0 [Anstrom] אורך הגל כתלות בקבוע הגביש Indirect Saleh and Teich p.550 Bandgap Energy (eV) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

- קבוע הגבישa נמדד ב- Ǻ = 0.1 nm אפשרות לגדל מהוד בדיוק רב
Bandgap wavelenght Lattice Constant a [Anstrom] - קבוע הגבישa נמדד ב- Ǻ = 0.1 nm עבור מל"מ אופטרוניים: 0.54 nm < a < 0.65 nm קבועי השריג קטנים מאוד ביחס לאורכי הגל האלקטרו-אופטיים a < l אפשרות לגדל מהוד בדיוק רב l/a0 ≈ 6x10-6/6x10-10 = 104 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

ה-Silicon וה-Germanium
Bandgap wavelenght Lattice Constant a [Anstrom] ה-Silicon וה-Germanium גלאים של קרינה אופטרונית Indirect קבועי הגביש של התרכובות הבינריות גדול יותר מזה של הסיליקון Bandgap Energy (eV) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

תרכובות בינריות לוזרות
Bandgap wavelenght Lattice Constant a [Anstrom] תרכובות בינריות לוזרות גלאים בלבד Bandgap Energy (eV) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

תרכובות טרנריות לוזרות
Bandgap wavelenght Lattice Constant a [Anstrom] InSbXAS1-x תרכובות טרנריות לוזרות GaxAl1-xAs Bandgap Energy (eV) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

במעבר בקווים עם אותו קבוע גביש (נצילות טובה)
מל"מ טרנרי במעבר בקווים עם אותו קבוע גביש (נצילות טובה) GaAs …. AlxGa1-xAs ….. AlAs מל"מ קטרנרי quaternary אזור המוצל המתוחם על ידי 4 תרכובות בינריות (In1-xGax)( As1-yPy) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

בעזרת השרטוט תעריך את הערך של x בתרכובת AlxGa1-xAs שתפלוט פוטונים בעלי
תרגיל בעזרת השרטוט תעריך את הערך של x בתרכובת AlxGa1-xAs שתפלוט פוטונים בעלי lg = [0.8 mm] לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

מזהמים לקבוצה III-V III V Al P Ga As In Sb לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Energy Levels of Dopants in III-V Compound Semiconductors לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

LED Dye Material Intensity 5mm LEDs Fwd Voltage 20ma) Color Name Wavelength (nm) GaAsP/GaP - Gallium Arsenic Phosphide / Gallium Phosphide 2.0 High Eff. Red 635 InGaAIP - Indium Gallium Aluminum Phosphide 2.2 Super Red 633 Red- Orange 623 2.1 Orange 612 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9.7 - לייזר Homo-junction 1 3 + - 2 6 5 4 8 7 1 אלקטרודה חיובית 2 איזור p GaAs(:Ge) 3 צומת 4 אלקטרודה שלילית 5 איזור n GaAs(:Te) 6 מישור מחזיר - מהוד 7 אלומת הלייזר 8 מישור מחוספס לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

ממדים + 7 3 mm 300 mm 300 mm - 300 mm לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

יצירת מהוד בגביש של מל"ם Cleavage Fresnel reflectance n2 – n1 n2 + n1 2 R = nGaAs = 3.6 RGaAs = 0.32 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Optical Cavity ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ + - 7 מהוד L ~~~~~~~~~~~~~~ לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

LED - 9.8 זרמים יותר חלשים אין מהוד 1 + 7 נעזר באופטיקה חיצונית החזרי פרנל פוגעים בהספק 2 6 p 5 3 4 - לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

ה-LED נמצא בתוך עדשה פלסטית LED + - p n n = 1.5 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

LED + - n = 1.5 n2 – n1 n2 + n1 2 R = RGaAs, air = 0.32 RGaAs, plastic, air = ? לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

חוק סנל מתווך צפוף לתווך דליל
9.9 – אופן נפחי בלייזר qt qi ni nt ni < nt דליל צפוף הקרן העוברת מתרחקת מהניצב ni sin qi = nt sin qt לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

הזווית הקריטית ni < nt ni nt ni sin qi = nt sin qt qt קיימת זווית פגיעה שעבורה הקרן ה"עוברת" תהיה מקבילה למישור הפגיעה qi לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

הזווית הקריטית, qc זווית פגיעה, qi , שעבורה = qt qt ni nt ni < nt ni sin qi = nt sin qt qc qi = qr קרן הפוגעת בזווית qc לא מפתחת קרן עוברת. כל הקרינה מוחזרת בזווית השווה לזווית הקריטית לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

אופן נפחי בלייזר הקרינה בתוך הצומת נמצאת ב"תעלה אופטית"
אופן נפחי בלייזר n d p junction 3.6 % פרופיל מקדם השבירה החיסרון של דיודות homojunction: צריכת זרם גדולה Jhomojunction = 400 [A/mm2] לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לזירה בצומת homojunction
e- e- e- e- e- e- e- n p _ + e- ~~~hn~~~~ 1-3 mm לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9.10 - לייזר hetero-junction
מדוע לייזר homojunction צורך הרבה זרם? + 7 d = 1-3 mm שתי סיבות 1 - נפח גדול 2 - בריחת פוטונים לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לייזר Hetero-junction
+ כנגד הנפח גדול : הקטנת עובי השכבה הפעילה עדיין קרינה בורחת הוספת שכבה נוספת d = 0.2 mm - לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לזירה בצומת homojunction
_ + n p e- ~~~hn~~~~ e- e- e- e- e- e- e- + 1-3 mm לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

לזירה בצומת hetero-junction
הוספת שכבה פעילה e- e- e- e- e- e- e- N p _ + P e- e- e- e- לייזרים 9 - מוליכים למחצה 0.2 mm Schechner (c)

3.6 n p junction % homojunction d אופן נפחי בריחת פוטונים: תכנון מקדמי שבירה של השכבות n 3.0 N P p 4.2 heterojunction d לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

הגדרות -לייזר heterojunction
p P N 2 1 Conduction Band 3 Valence Band n D לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

דרישות מלייזר heterojunction
Eg2< Eg1, Eg3 1 שקיפות לאורך גל הלוזר 2 n2> n1 , n3 תעלת אור 3 Ec1 < Ec2 < Ec3 Ev1 < Ev2 < Ev3 4 מדרגת עצירה לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

דרישות מלייזר heterojunction
d ~ 0.2 mm Nc,thr קטן תוצאה: צפיפות זרם קטינה Homojunction Heterojunction d [mm] 1 - 3 0.2 J [A/mm2] 400 10 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

דוגמה InGaAsP/InP Layer 1 InP n =3.5 Layer 2 In1-xGaxAsy-1Py Eg2 = eV Layer 3 InP n =3.5 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

שיעורי בית בלייזר אקסימר
יצירת בור פוטנציאל Quantum Well Lasers E מכאן GaAs GaAlAs GaAs GaAlAs d 10 nm GaAlAs שיעורי בית בלייזר אקסימר אלומה קוהרנטית לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

E e- e- e- e- Electron current זרמים Hole current d GaAlAs GaAs GaAlAs לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

אנרגיה של רמה בבור פוטנציאל תלת ממדי
האנרגיה של אלקטרונים וחורים נעים בבור פוטנציאל מקוונטת אנרגיה של רמה בבור פוטנציאל תלת ממדי Ee(nx,ny,nz) = h2 8me* + dx dy dz2 nx ny nz2 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

אנרגיה של רמה בבור פוטנציאל
dx <<< dy , dz Ee(nx,ny,nz) = h2 8me* + dx dy dz2 nx ny nz2 Ee(nx,ny,nz) = h2 8me* + dx dy dz2 nx ny nz2 Ee(nx) = h2 8me* dx2 nx2 = 1 dx hnx 2 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

מעבר מאנרגיה רציפה לאנרגיה בקוונטים
- + E e- e- e- e- d המבנה הקוונטי של רמות האנרגיה בבור לא מאפשרים מעבר רציף לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

dx רמות אנרגיה בבור קוונטי - + E d dx לייזרים 9 - מוליכים למחצה
Schechner (c)

רמות האנרגיה Ec = h2 nx,e2 8me*dx2 עבור אלקטרונים Ev = h2 nx,h2 8mh*dx2 עבור חורים לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Ee(nx) = h2 8me* dx2 nx2 חישוב לדוגמה me*(GaAs) = me nx = 1 dx = 10 nm me*(GaAs) = me = x 9.1 x = me*(GaAs) = x [Kg] לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

nx2 h2 dx2 8me* Ee(nx) = 8.8 x 10-21 J me*(GaAs) = 0.6188 x 10-31 [Kg]
dx2 = 1 x [m2] h = 6.6 x J s h2 = x J2 s2 Ee(nx)= h2 8me* dx2 nx2 43.56 x 10-68 8x x 10-31 1 x 10-16 1 = Ee(nx) = 8.8 x J Ee(nx) = eV הרמות בבור קוונטי במל"מ נמדד בעשרות meV לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

שינוי במספר הקוונטי Ee(nx) = h2 8me* dx2 nx2 Ee(nx=1) = eV Ee(nx) = x nx2 eV nx E [eV] 1 = 2 0.055 x 4 = 0.22 3 0.055 x 9 = 0.495 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

תיאור גרפי n = 3 E3 = 9 E1 = 0.495 E2 = 4 E1 = 0.22 eV n = 2 n = 1 E1 = eV לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Conductance Band nc3 nc2 nc1 Eg (GaAlAs) תיאור גרפי כולל רמות ברמת ההולכה Eg (GaAs bulk) nv1 nv2 nv3 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c) Valence Band

חוקי המעבר בבורות פוטנציאל
n ≠ 0 n = 1, 2, 3,… Dn = 0 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Conductance Band nc3 nc2 nc1 מעבר בין רמות התוצאה: הגדלת Eg n ≠ 0 Valence Band nv1 nv2 nv3 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Conductance Band nc3 nc2 nc1 מעבר בין רמות nc = nv hn ~~~~~~~~~~ Valence Band nv1 nv2 nv3 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Conductance Band nc3 nc2 nc1 מעבר בין רמות nc ≠ nv hn ? Valence Band nv1 nv2 nv3 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

DE (QW) = Ec (ne) + Ev (nh)
אנרגית המעבר DE = Eg + Ec (e) + Ev (h) DE = Eg + DE(QW) DE (QW) = Ec (ne) + Ev (nh) לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

אנרגית המעבר מזערית nc = nv = 1 me* = m0 mh* = 0.56 m0 GaAs dx = 10nmנניח לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

DEQ = מסקנות: בטכניקה של בורות קוונטיים: ניתן להגדיל את ה-Eg של מל"ם.
43.56 x 10-68 1 0.068 m0 8x10-16 + 0.56 m0 DEQ = eV DE = Eg + DEQ = ) = 1.49 eV מסקנות: בטכניקה של בורות קוונטיים: ניתן להגדיל את ה-Eg של מל"ם. ליצור לזירה בקווים ספקטרליים בניגוד למזהמים המאפשרים מעברים קטנים מה-Eg השיוניים ב- Eg הם פונקציה הפוכה של ריבוע עובי השכבה dx לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Multiple Quantum Well MQW GaAlAs GaAlAs אלומה קוהרנטית - + לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

פס הערכיות ופס ההולכה MQW + - E DE = Eg(bulk) + DEQ Eg(bulk) d לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

ירידת הזרם במעבר בין בורות
ירידת הזרם במעבר בין בורות - + E d I0 0.9I0 0.x I0 לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

מספר אורכי גל בגביש אחד קיימת אפשרות לייצירת מספר אורכי גל בגיש אחד -
E + d dx1 dx2 dx3 dx4 אין בקרה מהוד משותף? לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Separate Confinement Heterostructure SCH
הוספת שכבה מעכבת מעבר של אלקטרונים Ec,SCH > Ec,MQW הוספת שכבה מעכבת בריחה של פוטונים nSCH < nMQW לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

MQW + - + - SCH + MQW MQW Refractive index walls
לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

+ E d MQW MQW + SCH - + E d לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

+ E d 1 2 3 4 ארבע מל"מים שונים MQW + SCH לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

תרגיל צייר את דיאגרמת האנרגיות של לייזר MQW סגור ע"י SCH תן שם וסמן את ה-Eg של כל אזור בחר - מתוך נתונים שבידך – חומר מתאים לכל אזור לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

מבור קוונטי לחוט קוונטי
מבור קוונטי לחוט קוונטי - + קיר הבור קיר הבור + - חומר לוזר חומר בעל התנגדות גבוהה לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

+ - כיוון הלזירה כיווני התהודה + - לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Quantum Dot איזור פעיל התנגדות גבוהה התנגדות גבוהה ושקוף כיוון זרם האלקטרונים לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

Luminescence is the word for light emission after some energy was deposited in the material Photoluminescence describes light emission stimulated by exposing the material to light - by necessity with a higher energy than the energy of the luminescence light. Photoluminescence is also called fluorescence if the emission happens less than about 1 µs after the excitation, and phosphorescence if it takes long times- up to hours and days - for the emission Cathodoluminescence describes excitation by energy-rich electrons, chemoluminescence provides the necessary energy by chemical reactions. Here we are interested in electroluminescence, in particular in injection luminescence. Injection luminescence occurs if surplus carriers are injected into a semiconductor which then recombine via a radiating channel. לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

צורות לומינסנציה פליטת אור אחר הזרקת אנרגיה לתווך Luminescence לומינסנציה לאחר הזרקת פוטונים Photoluminescence פוטו-לומינסציה המתרחשת פחות מ- 1 ms אחרי הזרקת הפוטונים Fluorescence פוטו-לומינסציה המתרחשת זמן ארוך (דקות ואף ימים) אחרי ההזרקה Phosphorescence לומינסנציה אחרי הפצצה באלקטרונים Cathodoluminescence לומינסנציה כתוצאה מתגובה כימית Chemoluminscence לומינסנציה במל"ם לאחר הזרמת אלקטרונים ברמת ההולכה Electroluminescence, Injection Luminescence לייזרים 9 - מוליכים למחצה Schechner (c)

9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה

Similar presentations

Presentation on theme: "9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה"— Presentation transcript:

Similar presentations

About project

Feedback

Log in

Auth with social network:

9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה

Similar presentations

Presentation on theme: "9 – לייזרים ו-LED-ים במוליכים למחצה"— Presentation transcript:

Similar presentations

About project

Feedback